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而在0Cu中，刷山位错仍然控制着硬化。在固溶处理的时候，东电这些区域往往导致再结晶出现，从而破坏了单晶结构。
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f，刷山一个纳米沉淀物在晶界处的高分辨率TEM图像，显示了与基体晶粒的共格界面[4]。然而，东电除了少数例外，这些障碍往往会降低延展性。
基于以上思想，分福利本文设计了三种合金，分别是Fe–22Mn–0.6C，Fe–22Mn–0.6C-3Cu，和Fe–22Mn–0.6C-4Cu。
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然而，刷山宽带隙SnSe晶体（~0.86eV）具有优良的电传输性能，因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。东电相关成果以题为Powergenerationandthermoelectriccoolingenabledbymomentumandenergymultibandalignments发表在了Science。
(I)计算参数μ(m*)3/2作为Pb分数的函数，分福利表明Pb合金化对p型SnSe晶体电传输性能的优化。基于研究结果，公交未来的工作重点是通过使用最佳的接触材料和组装方法来降低界面电阻，从而提高热电设备的性能。